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基于络合物薄膜的电存储器件及单面纳米结构金膜的研究

被引量 : 5次 | 上传用户：fengyaoying

【摘要】

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本论文由如下两部分组成。基于络合物薄膜的电存储器件随着存储技术的不断发展进步,许多新型的电存储材料和相关制备工艺被研究出来。在本论文中,我们使用固-液界面反应方法制备电存储器件介质层薄膜。利用DMMM-Na/H_2O溶液或者KSCN/CH_3CH_2OH溶液与Cu反应,得到DMMM-Cu或者CuSCN介质层薄膜,在薄膜的两面制作垂直交叉布线的Cu、Al金属电极,得到的器件具有一次写入多次读取的电存

【作者】

：

【机构】

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复旦大学

【发表日期】

：

2009年04期

【关键词】

：

络合物薄膜一次写入多次读取阈值电压纳米孔金膜界面扩散表面拉曼增强

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本论文由如下两部分组成。基于络合物薄膜的电存储器件随着存储技术的不断发展进步,许多新型的电存储材料和相关制备工艺被研究出来。在本论文中,我们使用固-液界面反应方法制备电存储器件介质层薄膜。利用DMMM-Na/H_2O溶液或者KSCN/CH_3CH_2OH溶液与Cu反应,得到DMMM-Cu或者CuSCN介质层薄膜,在薄膜的两面制作垂直交叉布线的Cu、Al金属电极,得到的器件具有一次写入多次读取的电存储特性。通过对工艺参数的筛选,可以使制备得到的Al/DMMM-Cu/Cu

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