在磁约束聚变装置中，等离子体输运过程直接决定了装置的约束性能。实验上对离子和电子异常大输运系数的测量结果表明托卡马克等离子体中的粒子输运是一种反常输运。一般认为，等离子体芯部区域输运主要由ITG（离子温度梯度模）和TEM（俘获电子模）所驱动。本文在Weiland模型的基础上，从考虑碰撞效应的双流体方程出发，获得了托卡马克等离子体芯部区域ITG和TEM的色散关系，并针对HL-2A装置计算了芯部等离子体在无杂质情况下0.1<k y ρsH<2.0频谱范围内这两种不稳定性模的增长率。无杂质时芯部等离子体ITG和TEM增长率研究结果表明：ITG和TEM增长率与扰动波长密切相关，且ITG和TEM都是阈值模。但ITG只由离子温度梯度驱动，而TEM由电子温度梯度和电子梯度两者共同驱动。其中密度梯度对ITG模有致稳作用，而对TEM有促进作用。ITG增长率随离子温度梯度增大而增大，但TEM增长率随电子温度梯度增大会先减小后增大。本文还分析了等离子体径向位置，碰撞，磁剪切对ITG和TEM增长率的影响，结果表明ITG和TEM增长率都会径向位置ρ增大而增大，但TEM的增加幅度更大。碰撞对ITG和TEM的影响取决于温度梯度和密度梯度取值。低温度梯度区域，当密度梯度较大时，碰撞会小幅抑制ITG。低密度梯度时，碰撞会促进TEM增长；高密度梯度时，低温度梯度和高温度梯度区域均会抑制TEM的发展，中间温度梯度区域则会促进TEM的增长。磁剪切会抑制ITG增长,但对TEM的影响取决于温度梯度取值。低温度梯度时，磁剪切可抑制TEM的增长；随着温度梯度的增加，磁剪切反而会促进TEM的增长。