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以用户为中心的边缘计算服务部署算法研究
【摘 要】
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随着互联网产业的繁荣,逐渐多样化的用户终端应用程序对时延、计算等性能需求也越来越高,资源有限的用户终端设备无法满足各式计算密集型应用程序的性能要求,而具有充足资源的远程云端也面临着传输的性能瓶颈。为了克服这一尴尬的局面,部署在网络边缘的多路访问边缘计算(Multi-access Edge Computing,MEC)平台,以其更靠近用户侧的地理位置,为用户提供更低时延、更高算力、更大存储的计算服务
【机 构】
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中国科学技术大学
【出 处】
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中国科学技术大学
【发表日期】
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2021年08期
【基金项目】
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其他文献
纳米材料相比于常规材料具有优异的性能，在能源、环境、传感器等诸多领域中具有空前的应用前景。随着制备工艺水平的提高，纳米半导体作为芯片的主要材料，其集成度已达到百亿量级，散热问题成为影响使用效率和寿命的主要原因；此外热电转换技术的发展进一步推动纳米半导体材料导热性能的研究。材料在合成的过程中，不可避免会带来各种类型的晶界，如倾斜晶界、旋转晶界、孪晶等。当材料的特征尺寸降低到纳米级别时，晶界的体积分数
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该文配合平顶山天鹰集团开发研制的252kV自能式SF断路器,建立了相应的灭弧室气流场数学模型,提出了一种利用流体计算软件和自编程相结合的方法对灭弧室内的气流场进行计算.对自能式SF断路器开断过程中电弧及气流场间相互作用进行了模拟,得到了各个时刻膨胀室的状态参数及灭弧室内气流场、电弧的动态特性.该文分析计算了起始压力、膨胀室体积及喷口喉部直径的变化对断路器空载特性的影响,给出了断路器膨胀室状态参数及
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在深空光通信过程中，瞄准捕获跟踪（PAT）系统需要对信标的位置进行定位，以建立和保持航天器光通信终端与地面站之间的联系。相对于近地轨道距离的卫星光通信而言，深空光通信的链路距离更远，采用传统的地面发射信标光作为定位信标的方式由于激光器功率有限，在深空距离下衰减严重，实现难度大成本高，因此采用自然天体图像作为信标的方式受到关注。本论文针对采用地球等能在探测器上成一定大小的天体作为信标图像的方式，对信
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随着电子学技术和激光技术的发展，激光雷达得到了快速发展和广泛应用。如今，激光雷达已经被应用于军方、科学研究、企业等各个领域。近年来，随着无人机、机器人、交通安全的兴起，激光雷达展现出了广阔的应用前景。激光雷达最基本的功能是测距，而影响测距精度的关键因素便是飞行时间的精度，飞行时间的测量需要准确的定时，传统的时刻鉴别方法会受到噪声、上升沿、脉宽等因素的影响而导致测量误差较大，从而影响时间的测量精度。
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盖革模式APD(Avalanche Photodiodes)阵列激光雷达成像具备灵敏度高、精度高、集成度高等优势，这使得激光雷达领域远距离目标探测成为当前研究热点之一。本文主要针对传统距离像与盖革模式APD阵列激光雷达距离像成像性质上的区别，进行了相应的距离图像重构方法研究，从而达到提高目标还原度和图像质量的目的。 首先，本文调研了盖革模式APD阵列激光成像的国内外研究现状，通过对其分析确定了主
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目前，分布式布里渊光纤传感技术已广泛应用于公路、桥梁、隧道和油气管道等大型基础设施的结构健康监测领域。但是受限于传感器原理，传统的分布式布里渊光纤传感技术只能测量温度和应变信息。为了满足不断衍生出的实际测量需求，本论文提出基于光纤布里渊动态光栅的流体静压强/盐度分布式测量技术。该技术基于光纤的相双折射对流体静压强或盐度的敏感性，利用布里渊动态光栅测量光纤相双折射变化，从而实现对静压强/盐度的分布式
学位
高功率高重复率TEACO激光器是一处有着良好应用前景的激光器件.该文中的全部研究工作,都是围绕着高功率高重复率高光束质量TEACO激光而展开的.在综述了CO激光器,尤其是高重复率TEACO激光器的发展之后,论文系统地研究了高功率高重复率TEACO激光器的结构、组成与工作特性.结合激光的工程应用,重点讨论激光器脉冲重复率和输出光束空间分布的相关问题.在对提高激光脉冲重复率的制约因素进行分析的基础上,
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获得硅基发光是实现硅基光电子集成、硅基显示的关键,因此人们对于硅基发光材料的关注程度与日俱增.该论文首先对于硅基锗掺杂二氧化硅薄膜（Ge：SiO）的紫光发射（PL）、电致发光（EL）特性进行了详细研究.此外,创造性地将单离子传导聚合物电化学发光单元（SLEC）制备到硅衬底上,并对其光电特性进行了研究.
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HgI探测器的性能关键是取决于材料本身和器件的制备工艺.因此该论文首先是制备高纯、高阻、高质量的HgI晶体,然后探讨了HgI晶体的表面处理等器件制备工艺.为了获取高纯度且具有正化学比的碘化汞（HgI）多晶原料,采用"真空冷指升华法"制备基本组成原料高纯（5N）碘（I）及"三温区气相合成法"合成碘化汞（HgI）多晶原料,真空区域升华法提纯碘化汞,研究了合成时碘的过量问题和升华提纯时对原料的碘处理.研
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高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位.传统的高选择性干法腐蚀工艺需要频繁的清洗反应腔,该文通过大量实验找出了一种选择性即高、又不需要经常清洗反应腔的SiO干法腐蚀工艺.工艺选用CHF和SF作为主要进给气体,通过调节CHF和SF的流量来相应的控制等离子体中有效的F:C比率.工艺策略采取两步法:第一步采用F:C比率较高的工艺条件腐蚀大块SiO;第二步采用F:C比