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挠曲电效应是由于液晶分子发生展曲或弯曲形变引起的液晶极化,反过来这种极化与电场相互作用亦会对液晶分子的形变产生影响。自从1969年R.B.Meyer首次对挠曲电效应给出解释模型以来,这种效应一直备受关注,对这一效应的研究主要集中在探索液晶材料的挠曲电光特性、挠曲电效应对液晶显示的影响、应用各种方法测量液晶材料的挠曲电系数以及利用挠曲电效应开拓液晶材料新的应用领域等方面。2006年P.Kumar等人在具有弱锚定边界的平行排列液晶盒上施加直流电场,液晶内反转壁中±1缺陷周围指向矢的取向发生了变化,实验现象体现了挠曲电效应的影响;挠曲电效应对液晶很多性质都能产生影响,例如指向矢分布情况、阈值电压的大小、电光曲线、视角范围等,其程度取决于液晶材料挠曲电系数的大小,所以测量液晶材料挠曲电系数的值是非常必要的。基于以上两个方面,本文研究向列相液晶的挠曲电效应和挠曲电系数,分为以下四个部分:第一部分:对P.Kumar等人的实验现象:外加直流电场作用下,弱锚定平行排列液晶盒缺陷处液晶指向矢的变化所体现出的挠曲电效应给出理论解释。当对弱锚定平行排列向列相液晶盒施加垂直基板的直流电场时,在反转壁中的±1缺陷会发生旋转。根据液晶的弹性理论,分别推导了外加电场作用下考虑挠曲电效应后+1缺陷和-1缺陷处液晶分子的总自由能密度以及表征指向矢的极角和方位角变化角度所满足的平衡态方程,并进行了相应的数值模拟。在挠曲电效应的作用下,理论结果给出的方位角的变化情况与P.Kumar等人的实验得到的在±1缺陷处的实验现象是一致的。第二部分:基于液晶的弹性理论在理论上推导了外加电场作用下考虑挠曲电效应后混合排列向列相(HAN)和混合排列向列相-共面转换(HAN-IPS)液晶盒在系统平衡态时表征液晶指向矢分布情况的倾角θ和方位角φ的平衡态方程,得出在外加电场作用下液晶的挠曲电效应对两种液晶盒指向矢分布的影响。并基于两种液晶盒指向矢分布的变化情况,通过多层光学理论得出了挠曲电效应对液晶盒反射光四种信号Rpp,Rss,Rsp和Rps随内角(入射到液晶层角度)变化曲线(也就是液晶光波导模式,简称液晶导模)的影响。给出以下结论:HAN液晶盒中,挠曲电系数e1+e3取不同值时反射光的偏转保存信号Rpp会发生明显而有规律的的移动;HAN-IPS液晶盒中,挠曲电系数e1+e3取确定值后挠曲电系数e1-e3取不同值反射光的偏转保存信号Rpp和Rss会发生明显而有规律的移动。第三部分:基于液晶光导波技术对负性向列相液晶材料MS-N01300-000的挠曲电系数进行了实验测量。通过测量不同入射角的线偏振光在灌有液晶材料MS-N01300-000的HAN以及HAN-IPS液晶盒的棱镜耦合波导中传播后的反射光,得到外加频率为1kHz的交流电和直流电(两种电压的值相同)情况下的反射信号Rpp(针对HAN液晶盒)和Rss(针对HAN-IPS液晶盒)随入射内角变化曲线,并与根据液晶弹性理论和多层光学理论得到相应电压下不同挠曲电系数的反射信号Rpp和Rss随内角的变化曲线相比较,由曲线移动距离和移动方向得出MS-N01300-000液晶材料挠曲电系数e1+e3和e1-e3的值分别为2.5×10-11C/m和5.5×10-11C/m,并对这两个值进行了讨论。第四部分:通过挠曲电畴临界电压方法来确定BCN液晶材料7P-CF2O-ODBP挠曲电系数|e1-e3|的范围约为4.8×10-11C/m~8.0×10-11C/m,并对这个值进行了讨论。