本文借助ESCA、XRD详细研究了V₂O₅的还原原理及机制；探索了采用V₂O₅直接制各VO₂薄膜及优化VO₂薄膜电阻特性与掺杂异类元素以降低相变温度的新途径：发展了一种采用低真空度、氮气流降低氧分压低温还原由V₂O₅粉末熔化形成的凝结层来制备VO₂薄膜的新技术，简称为粉涂法制备技术． 研究发现：在大气中，较低温度的V₂O₅熔体是稳定的，而在较高温度下V₂O₅熔体中会发生还原反应，生成微量含有四价钒的氧化物．降低系统的氧分压，V₂O₅的稳定性随之下降，还原反应随之加强，低价态钒的氧化物生成量增加．生成的氧化物价态取决于系统氧分压的高低及系统氧压的平衡状况，即熔体一环境之间氧分压的差别．保持熔体一环境氧压的渐进平衡下降，可获得与氧分压相应的平衡价态的钒的氧化物，否则，随熔体一环境之间的氧压差增大，熔体中钒的价态将偏离平衡态，或高或低． VO₂薄膜的电阻特性受多种因素的影响，包括薄膜层中VO₂的纯度、薄膜的厚度和致密度（即连续性）等．在真空及高温（1350℃）下，保持系统中氧压缓慢平衡下降， 可由V₂O₅熔体直接还原沉积形成高纯度的VO₂沉积层．这种沉积层的电阻突变量级可达4—5个，明显优于已往其它方法获得的VO₂薄膜层．采用粉涂法所获得的薄膜，其电阻突变量级达到3—4个，虽不及真空高温还原V₂O₅熔体法所获得的高纯VO₂沉积层，但该方法对制备设备、条件和操作要求较低． VO₂簿膜中掺 Mo可显著降低其相变温度，降低幅度约为11℃/atm％，但是同时使 其电阻突变特性下降．