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本论文主要受到国家杰出青年科学基金项目:“半导体纳米材料制备和量子点光电器件”的支持。量子点具有发光颜色可调、荧光效率高、颜色纯度好等一系列优异的光学特性,在显示、照明以及生物成像等领域得到广泛的研究与应用。作为显示领域的新兴技术,量子点电致发光二极管(QLED)承袭了量子点颜色纯度高这一特性,使得三基色QLED的色域远超过现有高清液晶电视的色域范围,从而使QLED显示屏能够呈现更加光鲜亮丽的色彩效果;此外,QLED还具有自发光、可视角广、可弯曲等特点,因此被视为下一代的显示技术。经过20多年的发展,QLED的性能已经有了很大的提升,正朝着实用化的目标前进。在当前性能最佳的QLED中,聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)和氧化锌纳米粒子(ZnO Nanoparticles)是普遍应用的空穴传输层和电子传输层,但PVK/ZnO组合也存在不足:(1)对于短波长量子点而言,电荷传输层与量子点层之间存在明显的电荷注入势垒,限制了电荷的注入效率;(2)ZnO的电子迁移率比PVK的空穴迁移率大三个数量级,易导致电子更多地运动到量子点中,多余的电子不能和空穴发生辐射复合,造成量子点充电和荧光猝灭。所以,本文针对上述问题,对提高PVK/ZnO基QLED的性能展开了研究。1.我们在ZnO纳米粒子中掺杂镁(Mg),调节ZnO的带隙和导带能级,减小ZnO层到量子点层之间的电子注入势垒,提高了器件的亮度和效率。当Mg掺杂浓度为5%时,其器件的亮度最大(8511cd/m2),是ZnO基器件最大亮度的2.25倍。当Mg掺杂浓度为10%时,器件的外量子效率最大(5.9%),是ZnO基器件最大外量子效率的2.6倍。我们通过对电子传输层进行紫外光电子能谱测试和纯电子型器件测试,分析了ZnO掺杂Mg提高器件性能的原因。2.我们在PVK中分别掺入4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物(Poly-TPD)、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、4,4’双(咔唑-9-基)联苯(CBP)这三种空穴迁移率更大的有机物,提高空穴传输层的迁移率,优化电荷平衡,改善了器件的性能,并且研究了空穴迁移率的变化对QLED电流密度、开启电压、亮度和效率的影响。综上,我们针对PVK/ZnO组合的不足,对QLED的性能进行了优化,提高了器件的亮度和效率。