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随着科学技术的迅速发展，电子元元件的小型化、片式化已经成为趋势。PTCR热敏电阻也必须朝着多层、片式化的方向发展。要制备高性能的多层片式PTC元件，首先需要制备得到晶粒尺寸1-2μm同时具有良好PTC性能的细晶陶瓷。本文主要围绕着减小PTC陶瓷的晶粒尺寸同时尽可能降低瓷体电阻率开展研究工作。本研究以水热法粉体和固相法粉体为原料，研究施受主掺杂、预烧温度、烧结温度等因素与陶瓷晶粒尺寸的关系。通过调整施受主掺杂浓度，提高预烧温度，降低烧结温度，添加玻璃相等方法减小陶瓷的晶粒尺寸。流延法是一种陶瓷成型方法，它具有可连续操作、生产效率高、适合大规模生产的优点。为了更贴近多层片式PTC元件制备的实际需要，在压制成型材料组分研究的基础上，本文对流延法成型制备PTC细晶陶瓷进行了研究。采用水热法粉体作为原料制备的陶瓷半导化良好，升阻比在104以上。其平均晶粒尺寸为2-5μ。由于水热法粉体存在钡钛比失衡，杂质较多的缺点。实验结果表明进一步减小其晶粒尺寸具有很大的难度。固相法工艺成熟，应用广泛，很适合大规模的工业化生产。用固相法粉体作为原料，通过调整施受主掺杂、烧成温度等方法在1300℃烧结得到平均晶粒尺寸2μm的样品，其室温电阻率为201.1Ω·cm，升阻比为4.082e4。以固相法BaTiO3粉体为原料，采用流延法制备了生坯。生坯在1300℃烧成，陶瓷平均晶粒尺寸1-2μm，电阻率为890.9Ω·cm，升阻比为3.38e4。