电子无铅化进程的进展，要求用纯锡镀层逐渐取代锡铅镀层，目前它已成为电子封装技术中的一个主要工艺。由于纯锡镀层表面有很强的晶须自发生长倾向，而晶须可能引起电子产品的短路或电子故障，因此晶须问题已经成为威胁电子产品的可靠性的一个主要问题。研究锡晶须生长的规律，阐明晶须的生长机理，探寻抑制锡晶须生长的技术手段成为科学界关注的焦点。　　 目前甲基磺酸镀液是工业界制备锡镀层的主流镀液，在此背景下本文对这种镀液的光亮剂成分和电镀工艺参数对晶须生长行为的影响进行了研究。　　 采用工业中常用的甲基磺酸盐镀液配方为基础，基体材料为黄铜片，研究了阴极电流密度对锡晶须生长的影响；同时研究了光亮添加剂对镀层表面晶须生长倾向的影响；研究中观察到一些特殊形貌的晶须；最后观察了NdSn3粉末样品的锡晶须生长行为。　　 实验结果表明：用甲基磺酸盐镀液镀锡时，阴极电流密度对晶须生长有重要的影响，当阴极电流密度在某一区间时(1.5-2.5A/dm2)，晶须生长趋势较强；当阴极电流密度较低或较高时，晶须的生长倾向均较低；镀液中添加光亮剂也对晶须生长有明显的影响，在肉桂醛，硫酸肼，乙二醇组成的光亮剂中肉桂醛起主要作用，随着肉桂醛的增加晶须生长倾向先增加，肉桂醛浓度达到某一值后晶须生长倾向又下降；实验中观察到一些特殊的晶须形貌，包括头顶晶形貌，弯折晶须，三角联晶，横向生长条纹，以及螺旋晶须等，所有晶须表面均有纵向沟槽。对这些现象的原因进行了初步的讨论，并提出一种假设：晶须表面的纵向沟槽可能是几根细晶须合并的结果，当晶须生长过程中，在这一束晶须中有一根或几根细晶须与其他晶须生长速度不同步，就会产生晶须弯曲，螺旋生长等现象。采用NdSn3粉末样品在大气条件下暴露，观察到粉末样品表面锡晶须自发生长，并且有很高的生长倾向，这一结果不支持现有的主流观点：残余应力是晶须生长驱动力。　　 此外，实验中还发现一种电子束辐照效应，即晶须在高能的电子束辐照条件下会停止生长，尽管目前这一现象的原因还不清楚，根据这一结果，作者建议首先考虑采用光学显微镜原位观察锡晶须生长。