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科技的蓬勃发展使得人们对于半导体材料的要求越来越高,如何满足现代人们对半导体材料的需求,如何改进半导体材料的研究性能从而扩展它的研究领域是一个非常值得研究的课题。虽然以In2O3为代表的第二代半导体材料和以ZnO为代表的第三代半导体已经被广泛的应用到了光电子器件中,但是本征材料的单一性极大地限制了它的应用扩展。研究表明,通过在材料里掺杂金属以及非金属可以改进材料的性能,从而使其在特定的应用领域的性能得到提升。ZnO材料的本征缺陷比较多,而本征缺陷的存在又会导致材料P型掺杂的困难,因此研究ZnO材料的