锰氧化物巨磁电阻薄膜性质与氧含量的关系和薄膜生长的计算模拟

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该文主要内容包括:1.简要介绍锰氧化物巨磁电阻材料的主要性质及其相关问题,其中包括样品晶体结构,电输运性质和磁性质、样品一些重要的导电机制、样品的制备工艺和电输运性质测量装置.2.通过改变La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>薄膜制备时氧分压的大小,系统研究薄膜性质与制备氧分压的关系.3.采用脉冲激光溅射镀膜方法制备的La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>薄膜可以通过热处理的方式连续和反复的改变样品中的氧含量.研究了不同氧含量的La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>薄膜样品性质变化.4.对不同氧含量的La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>薄膜样品的电阻率-温度曲线进行了小极化子模型的拟合.得到随着氧含量的降低小极化子极化能变大的结论和样品的小极化子跃迁势垒与样品的半导体-金属转变温度关系.5.利用不同氧含量的La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>薄膜样品的电阻率-温度曲线和已有的电输运模型来拟合和讨论样品在低温下电输运行为.6.对氧含量不足的La<,0.7>Ca<,0.3>MnO<,3>薄膜样品的电阻率-温度曲线进行逾渗电阻网络的拟合,定性的解释了半导体-金属转变温度随氧含量减少而不断下降的趋势.7.简要介绍作者在读硕士初期所做的关于薄膜生长模拟方面的工作.
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