【摘 要】
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该文应用Fermion-Spin理论和一维t-J模型对一维强关联电子体系的电荷动力学和自旋动力学进行了一些研究.在第二章中,我们将简单介绍一下描述铜氧化物超导材料的一种微观模型-
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该文应用Fermion-Spin理论和一维t-J模型对一维强关联电子体系的电荷动力学和自旋动力学进行了一些研究.在第二章中,我们将简单介绍一下描述铜氧化物超导材料的一种微观模型--t-J模型,以及可以较好地处理电子强关联系统中的局域约束条件的方法--Fermion-Spin理论.在第三章中,应用Fermion-Spin理论,我们详细地给出一维t-J模型的理论推导.在第四章中,我们主要介绍所获得的结果及对这些结果进行适当的理论分析.结果发现,一维t-J模型与二维t-J模型电荷动力学和自旋动力学性质定性一致:光电导在低频区存在Non-Drude Weight,在高频区存在奇异的中红外带;电阻在高温时与温度成线性关系,在低温时偏离线性,表现为半导体行为;随着掺杂浓度的升高,系统发生公度-非公度转变,并且非公度权重随着能量的增大而减少,但是非公度峰的位置亦即非公度率不随能量变化;积分动力学自旋结构因子表现出特定的普适性——在低能区随着能量上升而下降,在高能区保持为一个常量;积分动力学磁化率存在特殊的普适行为:I(ω,T)∝arctan(α<,1>ω/T+α<,3>(ω/T)<3>).这些工作不仅有利于我们对一维强关联电子体系物理性质更深入了解,而且让我们更加确信Fermion-Spin理论是一种有效地处理强关联体系的理论.
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