金刚石是一种新型的功能材料，集力学、电学、热学和光学等优异功能于一身，在光电子、机械等领域具有广阔的应用前景。因此，人们对金刚石膜的生长做了广泛的研究，对金刚石膜的人工合成机理也有了一定的认识。但目前金刚石的质量仍有待提高，深入了解金刚石合成机理，进一步优化实验条件，制备高质量金刚石膜从而扩大其应用范围是目前亟待解决的问题。本文利用DC-PCVD法，研究了金刚石在P型（111）单晶硅基片上的生长及掺杂特性；通过扫描电子显微镜（SEM）、拉曼光谱仪（Raman）、X射线衍射仪（XRD）、及霍尔效应测试仪（Hall），对不同实验工艺下制备的金刚石薄膜的表面形貌、结构、取向及导电特性进行了分析。结果如下：（1）在CH₄/H₂气氛下随着反应室压强的升高，金刚石膜的质量先提高后降低，且生长速率随压强的增加而提高。过低的生长温度不利于金刚石的结晶，而且缺陷较多，过高的生长温度会使晶粒粗化。甲烷的影响主要表现在：提高甲烷浓度可以增加电子平均温度，提高C2浓度，从而提高生长速率,但同时降低了薄膜品质，晶粒尺寸减小。在生长微米膜的条件下，通过降低基底温度及反应室压强可以制备出纳米金刚石膜。（2）在CH₄/H₂气氛下，利用氢气鼓泡的形式通入甲醇的三聚氰胺饱和溶液蒸气，制备出了氮掺杂金刚石膜，研究发现少量氮的掺入使得晶粒尺寸减小,膜中非金刚石碳相增加,电阻率降低。（3）在CH₄/H₂/Ar气氛下，通过改变Ar/H₂流量比，制备出了以C3H6N6为氮源的掺氮纳米金刚石薄膜，结果表明：随着Ar/H₂流量比的增加薄膜晶粒细化，晶界、位错和缺陷有所增多，非金刚石含量逐渐增多，电阻率降低至10^-2·cm。