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该文在进行半导体表面理论分析及吸附表面(实际表面)研究的基础上,用XPS和AES电子能谱法分析了RF-MBE技术生长的GaN薄膜的实际表面组分及各表面元素所处的化学环境.基于AES的测量结果,利用经验相对灵敏度因子法对样品表面相对原子含量污染层厚度进行了评估.并用Ar离子溅射方法对外延层进行了深度剖析,给出表面及界温稳态光致发光谱理论分析及实验结果,探讨了GaN表面特性与光学性质的物理联系.