伴随光电行业的发展,纳米尺度光子学的应用越来越广泛,光电子器件的特征尺寸越来越小,图形的复杂化程度也逐步提升。纳米压印以其成本低、分辨率高、生产效率高且图形制作灵活性强的优势而成为微钠制造领域最受关注的研究热点。本论文主要就纳米压印技术本身及其配套的半导体制造工艺进行了详实的研究,并通过理论和实验验证了纳米压印技术在照明用发光二极管芯片产业化中的应用。首先,从纳米压印的流程出发对压印工艺的各个步骤进行了实验研究,并提出相应改进方案：(1)研究采用了电子束曝光和电镀法制作的金属压印模板制作方法,大大增加了模板的使用寿命；(2)引入软模板纳米压印技术,提高大面积压印的成品率,通过优化温度压力曲线,提高了压印图形的填充效果；(3)提出“两步法”出去残胶工艺,提高了图形掩膜的保真度；(4)使用双层胶剥离方案,解决了紫外压印胶刻蚀后不易去除的问题,得到了洁净的压印图形。其次为进一步扩大纳米压印的适用范围,提出多层掩膜刻蚀转移的配套方案,此方案可以解决以下三个问题：(1)由于软模板对图形深宽比的限制,造成软模板紫外纳米压印不能进行高深宽比图形制作；(2)由于紫外压印胶难于去除,导致软模板紫外压印不易实现lift-off剥离工艺；(3)在粗糙衬底上压印刻蚀会由于残胶厚度的不均匀而发生图形失真。我们利用此多层掩膜刻蚀转移方法对以上问题进行了实验论证,实现了线宽为50nm,掩膜深宽比大于5的高深宽比掩膜制作。同时,利用多掩膜转移lift-off法进行了不同占空比柱状光子晶体模板以及50nm线宽金属光栅的制作,也实现了粗糙氮化镓表面上的高保真度光子晶体图形的制作。最后将纳米压印工艺应用在照明用LED制作中,通过对LED出光效率限制因素的分析,提出使用纳米压印法制作纳米图形衬底以提高LED出光效率。利用时域有限差分(FDTD)算法优化衬底图形结构,并利用纳米压印实际制作了对应的纳米图形衬底LED芯片,经测量相比于普通芯片,此改进芯片光致发光谱出光效率提高了近一倍,包灯后光功率提高了22.6%。同时,使用lift-off转移工艺制作了大面积孔状光子晶体模板,在LED表面透明接触电极(ITO)层上分别制作了孔状和柱状光子晶体图形,经光致发光谱测试发现,相比于未改进的LED出光效率分别提高了95%和110%。