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量子点是一种优秀的荧光材料,它具有发光光谱可控,激发谱宽,发射谱窄,光稳定性好,荧光寿命长等特点,在光电器件,单电子器件,生物标记等方面有着广泛的应用。本论文从无镉量子点(Cdfree-QDs)材料合成和器件优化两个层面展开,对Cu-In-Zn-Se量子点的发光性质进行了较为深入的研究,并制备出了发单色光及白色光的两种量子点发光二极管(QLEDs)。(1)调控Cu在合成组分中的含量改变量子点的发光性质,发现随着Cu元素在合成中化学计量的增大使得量子点的光致发光光谱红移。之后制备结构为ITO/Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)Poly(styrenesulfonate)dryre-dispersiblepellets](P EDOT:PSS)/poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-co-(4,4’-(N-(p-butylphenyl))diphenyla min(TFB)/QDs/ZnO/Al的量子点发光二极管来评估不同组分的Cu对器件性能的影响。结果表明当随着合成过程中Cu组分占比的增加,器件发光强度有先增大后饱和的特性,在合成过程中使用0.15 mmol CuCl时所制备量子点作为发光层的器件有最大的发光亮度。逐层优化量子点器件的制备工艺,在量子点层旋涂时采用10 mg/ml的浓度配比时,所得量子点发光二极管能够达到1607 cd/m2的器件峰值亮度,较之前已知文献有着极大的提高。(2)采用量子点和TFB同时发光代替单一量子点发光制备白光器件。首先通过混合量子点和TFB作为发光层,采用ITO/PEDOT:PSS/TFB/QDs:TFB/ZnO/Al的器件结构,通过调节发光层TFB和QDs的配比,得到了色坐标为(0.3499,0.3432)的白光器件。此时,相较于单色的QLED,器件的亮度下降过多。为了解决此问题,我们采用了 ITO/PEDOT:PSS/TFB/QDs/TFB/ZnO/Al结构优化器件发光性能,在QDs层和电子传输层ZnO之间多加入了一层TFB薄膜结构,然后通过TFB的旋涂浓度来调控第二层TFB薄膜的厚度来控制该层TFB的发光,得到了更优化的白光量子点发光二极管(WQLEDs),这种结构的WQLEDs的亮度达到了 600cd/m2左右,这也是Cu-In-Zn-Se量子点首次被用作WQLEDs之中。