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聚合物基复合介电材料兼备陶瓷介电材料高介电常数和有机介电材料高介电强度的优势,是新一代介电材料的研究热点。进一步开发的陶瓷／导电填料／聚合物基体三相复合材料体系理论上能在保持高介电性能的同时赋予其优良的加工性能。然而,导电相易连通,陶瓷相易引起电场畸变的缺点使复合材料在介电常数增大的同时损耗增大,限制了其应用。本文以制备高介电常数,低介电损耗的三相复合材料为目标,选用P (VDF-HFP)为基体材料,研究了不同结构和形貌TiO2/Ag复相填料的优选合成方法及工艺条件,并揭示了填料组合方式对复合材料熔融结晶行为及介电性能的影响机制。研究发现,在多种Ag@TiO2核壳结构纳米颗粒的制备方法中,蒸汽热法是制备Ag@TiO2核壳结构纳米粒子的优选方法。调节工艺参数可合成厚度约8-10nnm较均匀完整的锐钛矿TiO2包覆层。选用锐钛矿TiO2原料,加入醇作助剂,在180℃水热反应48h,并于800℃热处理保温2h后制备出形貌规则均匀,分散性好、结晶度高,与基体结合性强的锐钛矿型TiO2纳米线。采用乙二醇还原法可成功合成TiO2@Ag负载颗粒,通过控制反应时间和反应物浓度可获得量子尺寸Ag纳米粒子。复合材料熔融及结晶行为的研究表明,高含量填料相的引入会破坏基体的连续性,促进基体熔化。填料与基体界面较大的相互作用还会使复合材料结晶温度发生偏移。其中,纳米填料比微米填料与P(VDF-HFP)界面间的相互作用更大,对复合材料熔融及结晶行为的影响较大。复合材料介电性能研究表明,Ag@TiO2材料包覆层的引入有效阻隔Ag导电颗粒的连接,使Ag@TiO2/P(VDF-HFP)复合材料介电常数提高的同时维持低损耗。对于TiO2NWs/Ag/P(VDF-HFP)体系,利用Ti02纳米线可有效阻隔Ag颗粒间的连接并抑制空间电荷聚集,在防止复合材料导通的同时提升了复合材料介电损耗的频率稳定性。TiO2@Ag负载颗粒中Ti02的存在可有效阻止Ag颗粒间的连接,使复合材料在高填充度下仍保持绝缘性；极小纳米Ag可“捕捉”材料中的载流子,降低材料的介电损耗和电导率。