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近十几年来，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)已经成为当前的研究热点，并且得到了广泛的应用，它将有望成为下一代显示器的驱动元件;平面自开关二极管自提出以来，由于它的制备工艺简单以及平面特性，得到了广泛的研究。本研究分为两个部分： ⑴以SiO2为绝缘层制备优良的a-IGZO TFT，找到相对合适的a-IGZO溅射功率，溅射气体，成膜厚度，退火条件以及源漏电极材料。然后我们基于以上条件，制备以PMMA(polymethyl methacrylate)为绝缘层的高性能非晶IGZO TFT，在这期间我们研究了PMMA的退火温度对器件性能的影响，退火温度分别为120℃，130℃，140℃，150℃，我们发现退火温度过低，器件的漏电流较大，器件的成品率越低，在150℃的退火条件下，器件最稳定，漏电流最小，成品率最高;我们还研究了IGZO界面处理对器件的性能影响，我们分别对IGZO界面作了如下处理:150℃烘烤20分钟，UV ozone处理20分钟，UV ozone20分钟后接着150℃烘烤20分钟，以及对界面不作任何处理，我们发现对IGZO的界面作以上处理，影响并不大;我们还对PMMA绝缘层作了如下处理:UV-ozone处理20分钟，UV-ozone处理20分钟后接着150℃烘烤20分钟，紫外曝光10分钟，发现不作处理的器件性能最好。然后，我们研究了用不同设备制备栅电极对器件的影响，比如Ti，Al，发现用热蒸发制备的Al电极最好。 ⑵用溅射制备了30nm的非晶IGZO薄膜，然后在上面制备了SSD图形，我们研究了湿法刻蚀和干法刻蚀对刻蚀IGZO SSD形貌的影响，湿法刻蚀我们分别用稀盐酸和稀醋酸刻蚀非晶IGZO，干法刻蚀我们用CH4和H2作为刻蚀气体，对IGZO进行干法刻蚀。然后我们研究了用不同电极作为欧姆接触电极对器件性能的影响，分别为Ti，以及Ti/Au。