MEMS用硅基永磁薄膜阵列设计与制备研究

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本文利用磁场解析计算方法研究了永磁薄膜阵列的磁场分布,理论上计算了薄膜阵列单元的尺寸和间距对永磁薄膜阵列工作点的影响规律,计算了周围阵列单元对中心单元工作点的影响。在此基础上,按照永磁薄膜阵列的“有效磁化强度”磁性能优化指标,求出了一个较理想的永磁薄膜阵列设计方案:对10微米厚的永磁薄膜,阵列单元为40μm×40μm,间距为10μm。本文利用有限元分析方法初步研究了各向异性永磁薄膜阵列的磁性能,得到了关于永磁薄膜阵列的磁化特征,验证了解析计算采用的均匀磁化假设的合理性,同时分析
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