本文利用介电连续模型系统地研究了极性二元晶体构成的球形异质结构——双层和三层球形核壳量子点中的光学振动模及电—声子相互作用,并利用变分法对双层结构中的束缚极化子进行了讨论.在此基础之上,在球形异质结构中引入极性三元混晶材料,利用改进的无规元素孤立位移模型和有效声子近似,研究了含三元混晶的双层和三层球形核壳量子点中的三元混晶效应.主要研究结果如下：一、利用介电连续模型研究了非极性材料包覆的双层球形核壳量子点中的界面／表面(IO/SO)声子模,给出了声子模的色散关系和电子-IO/SO声子相互作用的哈密顿量,并对CdSe/ZnS核壳量子点进行了数值计算.结果表明,双层结构中存在三支频率不同的IO/SO声子模,其频率不仅取决于核壳结构材料的有关参数,而且依赖于外层非极性材料的介电常数εd.三支声子势的变化趋势各不相同,且随着壳层厚度的增加,IO/SO声子模在界面或表面附近的局域性显著增强.并且发现,当εd较小时,频率较高的两支类ZnS IO/SO模对电—声子相互作用的贡献起主要作用,当εd较大时,表面极化效应明显减弱,频率最高的类ZnS SO模转变为类ZnS IO模,对电—声子相互作用的贡献起主要作用.随着角量子数的增大,IO/SO声子模对电—声子相互作用的贡献逐渐减小.二、利用介电连续模型研究了三层球形核壳量子点中的IO/SO声子模,给出了声子模的色散关系和电—声子相互作用的哈密顿量,并对CdSe/ZnS/CdSe核壳量子点进行了数值计算.结果表明,三层结构中存在五支IO/SO声子模,其中频率较高的两支模为类ZnS IO模,频率较低的三支模为类CdSe IO/SO模,且五支模的频率均依赖于外层非极性材料的介电常数εd.同时发现,五支声子势的变化趋势各不相同,当εd较小时,类ZnS IO模及类CdSe SO模对电—声子相互作用的贡献起主要作用,当εd较大时,类CdSe SO模转变为类CdSe IO模,表面极化效应明显减弱.三、利用改进的无规元素孤立位移模型(MREI)和有效声子近似(EPMA),研究了含三元混晶的双层和三层球形核壳量子点中的三元混晶效应,并对GaAs/AlxGa1-xAs和GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs核壳量子点进行了数值计算.结果表明,球形核壳量子点中存在特殊的混晶效应,具体表现在,在组分取不同值时,不仅类AlxGa1-xAs IO/SO声子模的频率变化范围明显不同,而且类GaAs IO声子模的频率在一定范围内也会受到组分的影响.同时发现,各支IO/SO声子模的静电势随混晶组分的不同呈现不同的分布形态,因此组分的变化对电—声子相互作用有重要影响.四、利用介电连续模型研究了三层球形核壳量子点中的受限LO声子模,给出了电子—LO声子相互作用的哈密顿量,并对CdSe/ZnS/CdSe核壳量子点进行了数值计算.结果表明,局域在CdSe核中的LO1声子和局域在ZnS壳层中的L02声子对电—声子相互作用的贡献是主要的,且LO2声子的声子势强度强烈依赖于ZnS壳层的厚度,随着壳层厚度的增加,声子势强度逐渐降低,对电—声子相互作用的贡献也相应地逐渐减小.五、利用本文导出的电—声子相互作用哈密顿量,采用有效质量近似和变分法研究了双层球形核壳量子点中的束缚极化子,讨论中同时考虑了电子—声子和杂质—声子的耦合作用,并对ZnS/CdSe核壳量子点进行了数值计算.结果表明,杂质态结合能和声子极化效应均明显依赖于核半径和阱宽,声子效应明显地降低了杂质态的结合能.随着核半径和阱宽的减小,杂质态结合能明显增大；同时发现,存在一个临界阱宽,当阱宽小于临界阱宽时,杂质态的结合能明显增加,而且声子的贡献也显著增大.