【摘 要】
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半个多世纪以来,在摩尔定律的驱动之下,集成电路工艺技术有了长足进步。目前45nm工艺已经成为半导体技术的主流。金属钨拥有的良好化学稳定性和抗电迁移能力。因此钨栓工艺仍
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半个多世纪以来,在摩尔定律的驱动之下,集成电路工艺技术有了长足进步。目前45nm工艺已经成为半导体技术的主流。金属钨拥有的良好化学稳定性和抗电迁移能力。因此钨栓工艺仍然是45nm节点中连接器件源/漏、栅极和金属互连线的重要组成部分。钨栓工艺必须配合Ti/TiN沉积工艺来使用。随着工艺尺寸的不断减小,孔洞深宽比(AR)的不断提高,传统的钨栓工艺正面临巨大的技术难题。本文基于45nm工艺技术,介绍沉积Ti/TiN薄膜所使用的金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)和离子化金属沉积技术(IMP PVD)。深入探讨深亚微米器件中涉及的钨栓工艺及其相关的Ti/TiN薄膜阻挡工艺技术整合的难题。通过实验表明：优化后的Ti/TiN沉积工艺能更好地与钨栓工艺整合在一起。拥有更低的接触电阻,有效降低器件的电阻-电容延时(Contact RC delay),大大改善半导体器件硅化物与钨栓接触稳定性,并且大大提高产品最终的良率。
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