涂布显像工艺的优化改进

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随着科学技术的不断发展,信息化时代在高速地前进,数码产品,电子仪器,自动化设备已经融入到我们周围的方方面面,直接影响到我们的生活品质。而作为其基础的半导体器件的应用更是越来越广泛,达到了前所未有的发展。总的来说,对于消费者而言,他们需要的是一方面缩小半导体器件的体积,另一方面又想要提高器件的运行速度。而对于半导体器件生产者而言,它们一方面需要增大晶圆的面积,另一方面缩小裸芯片的线宽,这样不但满足了消费者需求,又降低了每个裸芯片的成本。在国外,由于半导体行业起步早,而且资金雄厚,大部分已经划入了12寸芯片的生产行列,而国内普遍还是以6寸和8寸的生产线为主。所以,对于国内的半导体生产行业的从业人员而言,唯有缩小半导体器件的线宽(CD,Critical Dimension)才能实现目标。确定目标是容易的,但要实现目标是困难的。首先是要通过工艺的优化改进,实现更小的CD。本文作者工作所在的黄光区正是决定CD大小的关键环节,在黄光区的整个制程过程中有许多的因素影响着CD的变化,包含光阻的敏感度,软烘烤(Soft Bake)的温度和时间,曝光光源的波长,曝光能量,焦距,显影前硬烤(Post Exposure Bake)的温度与时间,显影等等都会影响到CD。其中,显影是一个非常重要的步骤,所以显影槽所有硬件的任何一个参数都有可能会影响到CD的变化,本文基于LD Nozzle(一种喷头型号)的显影方式,根据CD的变化作为判断标准,经由实验去总结出最优化的参数来让CD达到一个变化最小的状态使得制程稳定和良率(Yield)提升。其次,由于CD的不断缩小,之前在半导体制程过程中,包括涂胶(Coating),曝光(Exposure),显影(Developer),烘烤(Baking)等过程中,所产生的缺陷(Defect)影响越来越大,因为随着CD的缩小,同样面积上的裸芯片(Die)模块会变得更多,那么同样大小的缺陷就会影响更多的模块,所以减少,预防,消除缺陷的要求就变得越来越重要。作者在本论文中对工作中出现的常见缺陷的种类、产生原因进行了探讨研究并加以区分。同样本文作者利用一些实验手法的手法去找寻减少缺陷发生的方法,例如利用机台内外环境的维护、制程程式的设定、设备硬件(Hardware)的调整等等,并研究如何尽量地去预防缺陷发生。
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