近几十年来,现代工业快速发展的同时也伴随着六价铬（Cr（Ⅵ））污染加剧,碳量子点（CQDs）作为一种新型的荧光探针受到关注,但难以获得高量子产率和宽响应范围。因此开发杂原子掺杂和表面修饰CQDs材料作为检测Cr（Ⅵ）的荧光探针具有重要的意义。本文将Cr（Ⅵ）作为目标检测物,以硅、氮作为杂原子掺杂在CQDs中,大大提高了CQDs的量子产率,通过硅、氮共掺杂CQDs（Si,N-CQDs）与Cr（Ⅵ）的特异性荧光猝灭,实现水中Cr（Ⅵ）的检测,并对Si,N-CQDs进行表面修饰,增加了Si,N-CQDs对Cr（Ⅵ）的检测灵敏度。首先,通过水热法制备了Si,N-CQDs,考察了制备的Si,N-CQDs荧光探针的光学稳定性、结构和性能,并对猝灭机理进行分析。结果表明:Si,N-CQDs的最佳激发和最佳发射波长分别为355nm和464nm,在紫外光照射下发出蓝色荧光。Si,N-CQDs具有较高的量子产率（QY=75%）和良好的光稳定性和水溶液分散性。Si,N-CQDs对Cr（Ⅵ）检测的响应范围为0～75μM（R~2=0.9931）,检出限为0.995μM,Cr（Ⅵ）浓度在500μM时,猝灭率达到80%以上。并对其检测Cr（Ⅵ）的机理进行讨论,猝灭机理被验证为福斯特共振能量转移（FRET）。为了进一步增加Cr（Ⅵ）检测灵敏度,拓宽Cr（Ⅵ）检测响应范围、降低Cr（Ⅵ）检测检出限,对Si,N-CQDs荧光探针进行优化,利用PEG400钝化Si,N-CQDs对Si,N-CQDs进行表面修饰,制备了PEG400钝化的Si,N-CQDs（P-CQDs）,获得了更敏感的检测能力、更低检出限。制备的P-CQDs的最佳激发波长为335nm,最佳发射波长为420nm,在紫外光照射下发出明亮的蓝色荧光。优化的P-CQDs具有更高的量子产率（QY=77%）和更好的光稳定性。P-CQDs对Cr（Ⅵ）响应范围为0～200μM（R~2=0.9962）,检出限为0.089μM,Cr（Ⅵ）浓度在200μM时,猝灭率达到80%以上,并对P-CQDs拓宽Cr（Ⅵ）检测范围的机理进行讨论。综上所述,本文研究了硅、氮元素掺杂和PEG400表面修饰对CQDs提高量子产率以及在拓宽响应范围、降低检出限方面的作用,为快速现场检测水中Cr（Ⅵ）的可行性提供了理论基础。