硅基氧化物薄膜及异质结的光伏效应研究

来源 :中国石油大学(北京) | 被引量 : 0次 | 上传用户:Whding713
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氧化物材料具有丰富的物理性质,如果把具有光、电、磁等功能特性的器件结构与硅、锗等叠层外延在一起,可以实现功能器件与大规模集成电路的集成和一体化。在众多研究中,光诱导效应研究不需要繁杂地改变材料的化学成分和晶体结构就可以改变材料的载流子浓度,开展相关研究不仅对理解电子强关联体系中的凝聚态物理基本问题具有重要的意义,还有可能发现在技术上有重要应用价值的新型物理效应。本文利用激光分子束外延技术(LMBE)和溶胶一凝胶法分别在硅(Si)基底上制备了[SrNb0.05Ti0.95O3/La0.9Sr0.1MnO3]3([SNTO/LSMO]3)微米厚多层膜和氧化锌(ZnO)薄膜,重点研究了多层膜和ZnO/Si异质结的光伏特性,主要取得以下研究成果:  1.利用LMBE系统在n-Si基底上原子尺度控制外延生长了10,000个原胞层的[SNTO/LSMO]3微米厚多层膜异质结。在脉冲激光辐照下,结的两端观测到了纳秒级(ns)的开路光生电压脉冲信号,其光伏响应度较单层LSMO/Si提高了11倍。  2.采用溶胶-凝胶法在n-Si基底上制备了无掺杂的ZnO薄膜。当532nm连续激光照射结表面时,在结的两端观测到了开路光生电压脉冲信号,该信号由瞬态和稳态两个响应过程组成;当脉冲激光器照射时,异质结表现出ns量级的快速响应光生伏特现象。
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