随着信息技术的迅速发展，对信息存储容量的要求越来越高。减小记录点或记录磁畴的关键是减小薄膜的加热区域。光存储及磁光存储受到光学衍射极限的限制，因此突破其限制具有重要意义。论文首先综述了光及磁光存储发展历程及超分辨技术，然后介绍了磁光存储材料及记录原理，指出了存在的不足之处，提出了本文的主要研究内容。　　 本论文主要包括以下几个方面的工作：相变材料AglnSbTe的热学性能研究；相变薄膜AglnSbTe亚衍射极限红光和蓝光记录性能研究。Sb孔径型掩膜超分辨磁光记录性能研究；Si掩膜超分辨磁光记录性能研究；导热层超分辨磁光记录性能研究；对磁光存储记录介质进行了探索，制备了颗粒膜TbFeCo-SiO2、TbFeCo-MgO并对其磁性能进行研究；为了增大读出性能，制备了双层耦合膜。　　 研究了相变材料AgInSbTe热学性能。采用差示扫描量热仪及热重分析仪研究了晶态和非晶态AgInSbTe的比热和热重。采用激光导热仪研究了晶态和非晶态AgInSbTe的面内热扩散系数，结果表明晶态AgInSbTe的热扩散系数随着温度的升高降低；而非晶态AgInSbTe的热扩散系数随着温度升高基本不变。　　 研究了相变材料AgInSbTe记录性能。研究了AgInSbTe红光记录性能。研究了不同导热层对AgInSbTe红光记录性能的影响。研究了热处理对Glass/AglnSbTe及Glass/Si/AgInSbTe红光记录性能的影响。最后研究了相变材料的蓝光记录性能，定性计算热量扩散的方向，结果表明蓝光记录“Glass/Si/AglnSbTe”样品能够实现70nm的记录点。　　 研究了超分辨磁光记录性能。采用Super-RENS静态记录实验方法研究Sb孔径型掩膜超分辨磁光记录性能。磁控溅射法制备了“Glass/SiN/Sb/SiN/TbFeCo/SiN”样品，研究了其磁光记录性能，通过对Sb孔径型掩膜材料的研究为发现新型掩膜材料作准备。采用磁控溅射法制备了磁光存储样品“Glass/SiN/Si/SiN/TbFeCo/SiN”，其中Si薄膜作为超分辨掩膜。研究了激光脉宽、功率对磁畴的影响；理论计算了薄膜的温度场分布，Si掩膜增大了温度场梯度，通过记录性能的研究，实现了小于光学衍射极限100nm磁畴的记录和磁力显微镜的观察。　　 研究了导热层超分辨磁光记录性能。采用Super-RENS静态记录的实验方法研究其磁光超分辨性能。磁控溅射法制备“Glass/Si/TbFeCo/SiN”、“Glass/Al/TbFeCo/SiN”样品。实验结果表明与记录层TbFeCo薄膜热扩散系数相差较大的Si、Al薄膜能够迅速扩散来自记录层的热量，从而改变材料的温度场分布，具有缩小有效加热光斑区域的作用，实现了小于光学衍射极限磁畴的记录。　　 对磁光存储记录介质进行探索。为了有效降低记录介质颗粒之间的交换耦合，提高介质矫顽力，本文采用共溅法制备了颗粒膜“TbFeCo-SiO2、TbFeCo-MgO”。研究了厚度对颗粒膜垂直矫顽力的影响，厚度为75nm的TbFeCo-SiO2颗粒膜矫顽力最大。制备厚度为75nm的颗粒膜TbFeCo-MgO。结果证明采用非磁氧化物减弱了亚铁磁材料的磁耦合，提高了介质的矫顽力。为了提高读出特性，直流磁控溅射法制备了双层耦合膜“Glass/TbFeCo/GdTbFeCo”，其中TbFeCo薄膜作为记录层，GdTbFeCo薄膜作为读出层。