自由电子激光和量子阱材料都是当前科研的热门领域，而自由电子激光对量子阱材料的辐照研究却进行的很少，因而这是一个新颖的课题。本论文首先介绍了自由电子激光、掺杂半导体及半导体量子阱材料。自由电子激光的介绍主要是着重于它的工作原理及特点，最后也简要介绍了北京自由电子激光装置。掺杂半导体部分主要是介绍了杂质能级的形成。半导体量子阱材料主要是从其定义、分类及量子阱红外探测技术方面来介绍。论文的第四和第五章介绍了本人的课题工作，包括对强激光辐照下浅能级杂质基态和第一激发态束缚能的计算以及GaAs／AlGaAs量子阱红外探测器对BFEL的光电响应测试。通过理论计算发现，E_1s、E_2s及E_2s-E_1s随着辐射强度的增加或辐射频率的降低而降低，这表明了强THz激光可以增大对半导体杂质的电离。光电响应测试结果则表明，使用红外自由电子激光，可以成功地对量子阱红外探测器进行光电响应测试。对于高迁移率器件只需在室温条件下即可测得响应信号。