该文对BBO晶体生长过程中挥发物的影响做了深入研究.使用XRD、DTA分析了挥发物的组成及熔点,使用体视显微镜、高分辨率ICP质谱仪、扫描电子显微镜以及扫描电子探针微区成分分析等方法对包裹体形貌及成分进行分析,提出了在晶体生长过程中由于挥发物掉落在晶体表面从而导致晶体内部出现大颗粒包裹体的形成机理.选用了不同的温度梯度进行BBO晶体生长对照实验,发现在较大的温度梯度中生长出的BBO晶体,无论在晶体尺寸和晶体品质方面都优于在温度梯度小中生长的BBO晶体.探讨了温度梯度对高温溶液粘度、流体状态以及晶体生长形态等方面的影响.从Cs<,2>O-B<,2>O<,3>二元体系相图出发,研究了以碳酸铯和硼酸为原料合成晶体生长原料CsB<,3>O<,5>的固相合成反应.使用XRD研究了固相反应温度对目标合成物的影响以及利用称重法分析生长原料在固相合成阶段失重量与烧结温度和烧结时间的关系,从中选择CBO晶体生长料的最佳合成温度是700℃.按合适比例配料,采用泡生法从CsB<,3>O<,5>熔体中生长出尺寸为55mm×30mm×15mm的CBO透明晶体.对晶体生长过程中的挥发物进行收集并使用XRD和DTA分析挥发物的成分及熔点并测量了挥发物随时间变化的失重量,实验结果表明：挥发物的主要成分是Cs<,2>O,挥发物的失重率随晶体生长的延续逐渐减小.探讨了挥发物对CBO晶体生长的影响,提出了通过改变原料配比以减少由于组分挥发引起晶体品质下降的途径.首次利用同步辐射X射线白光衍射貌像术对CBO晶体的生长层缺陷进行研究.研究了温度梯度对LBO晶体结晶习性面的影响.通过对三温区氧化物晶体生长炉温场性能分析,并从物质扩散动力学方面分析了温度波动对晶体生长的影响.实验表明,温度波动最容易引起LBO生长和纹的产生.如果温度梯度很小,温度波动的影响就越发明显.