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铁电薄膜及其集成器件是当前材料科学和微电子领域的研究热点。本文以研发铁电薄膜红外探测器阵列为目标,利用磁控溅射法制备了BST铁电薄膜,研究了金属电极和BST薄膜的微加工工艺,并对探测器阵列的结构和各层光刻掩模版图进行了设计；以此制备了8x8元和16×16元Au/Ni-Cr/BST/Pt-Ti四层叠加的铁电薄膜红外探测器阵列,测试了阵列的电学性能。具体研究内容如下：(1)采用磁控溅射法制备出Ba0.8oSr0.2oTi03铁电薄膜。研究了工作气压、氧氩比、衬底温度对BST薄膜成膜质量的影响,确定了适于磁控溅射沉积BST薄膜的最佳工艺参数条件；在此工艺条件下制备得到的800nm厚BST薄膜在室温时30V外加偏压下剩余极化强度2Pr为6.47μC/cm2,5V外加电压时漏电流大小为4.22×10-10A,测试频率为200KHz时介电常数和损耗分别为428、0.007。(2)使用光刻-剥离技术实现了对上下电极和吸收层金属微图形的制备；使用光刻-湿法刻蚀成功地对BST薄膜进行了微图形化。优化了光刻剥离胶ENPI202和AZ5214E正胶的工艺参数：使用体积比为1：20：50的HF(40wt%)HNO3(65.68wt%、H2O2(30wt%)混合溶液为刻蚀液对BST薄膜进行了刻蚀,在30℃水浴恒温下,对800nm厚的薄膜刻蚀时间为18s,刻蚀速率为44.44nm/s,刻蚀得到的图形边缘清晰整齐、结构完整、无刻蚀残留物；刻蚀完成后在空气中600℃下退火30min,可显著恢复刻蚀对薄膜电性能的影响。(3)对铁电薄膜红外探测器阵列的结构进行了设计,并使用L-edit软件绘制了8x8元、16×16元阵列各层的光刻掩模版图；制备了8x8元和16×16元BST铁电薄膜红外探测器阵列,对8x8元阵列的铁电、介电和漏电流特性进行了表征和分析；室温时外加电压为30V下,8x8元BST薄膜阵列的剩余极化强度2Pr为1.83μC/cm2,测试电压为5V时漏电流大小为9.02×10-6A,测试频率为200KHz时介电常数和介电损耗值分别为276、0.013。