霍尔传感器是目前使用最广泛的磁传感器之一。它不仅可以用来测量磁场,还可用来测量电流、速度、位置、角度和转速等物理量,在精密测量、工业自动化控制、汽车电子、家用电器等领域获得广泛应用。本课题的主要研究内容是在悬臂梁根部制作MOSFET霍尔磁传感器,MOSFET的源、漏两端相当于霍尔传感器的电流控制极,在栅区两旁稍靠近漏极的部分加有两个霍尔电压输出极,这样在垂直磁场的作用下,霍尔输出极上将产生霍尔输出电压VH,当改变磁感应强度时,霍尔输出电压也会发生变化。本文在了解国内外霍尔磁传感器发展现状的基础上,介绍了霍尔效应的基本原理,阐述了MOSFET霍尔磁传感器的工作原理,设计了悬臂梁MOSFET霍尔磁传感器的结构及制作工艺过程,并进行工艺模拟,为器件的实际工艺流程提供可靠的技术保证。采用Multisim软件对放大电路进行仿真并成功调试实际电路。对实验研制的传感器样品进行特性测试和分析,完成了线性度、迟滞、重复性、灵敏度和精度的计算,计算后得到的线性度为±0.0384%F·S,迟滞为±0.0092%F·S,重复性为±0.072%F·S,灵敏度为1.212 mV T,精度为0.0821%F·S。实验证明,本文研制的悬臂梁MOSFET霍尔磁传感器的设计方案符合要求,测试装置简单,信号处理方便,制作工艺可与集成电路工艺兼容,可实现霍尔传感器的集成化。