随着3G时代的到来，移动通信技术已逐渐演变成社会发展和进步必不可少的工具，如何提高通信系统的稳定性成为了人们关注的焦点。作为射频电路的基础，LDMOS器件在功率放大器中有着广泛的使用，其性能好坏直接影响着整个电路的工作状态。　　 传统的LDMOS器件制作在体硅材料上，其寄生输出电容和泄漏电流都比较大，会直接影响器件的工作速度和功耗。随着绝缘层上硅(SOI)制备技术的不断成熟，SOI LDMOS器件凭借其速度快，功耗低，隔离效果好的优势，已逐渐取代了传统的体硅LDMOS器件。目前，SOI技术已经成为了制备射频功率半导体集成电路的主流技术之一。研究表明，和相同条件下的体硅器件相比，SOI器件的速度可提高30％以上，功耗可下降60％以上。作为大功率器件，要求SOI LDMOS有较大的击穿电压、较高的电流密度和自身静电放电(ESD)保护性能，所以设计出满足要求，与CMOS工艺相兼容、低成本的SOI LDMOS器件具有重要意义。　　 本文概述了近几年来国内外SOI LDMOS器件的研究和进展，根据无线通信用射频功率放大电路的应用要求确定了器件的一系列技术指标，比较横向沟道和纵向沟道这两种基本结构的差异，并选择后者作为研究对象。接着，分析了器件的导通机理，结终端技术以及RESURF原理；对纵向沟道器件结构建立数学模型，确定边界条件，求解泊松方程，估算相关工艺参数的理论值，包括漂移区长度和浓度，沟道长度，埋氧厚度等。然后设计了器件工艺流程，并使用SILVACO TCAD软件开展了器件的工艺仿真和器件的电学特性仿真，包括器件的制作工艺过程，器件的输出特性、转移特性和频率特性，在验证理论值的同时对相关参数进行优化和折衷，直到满足技术指标，最后提取器件的工艺特性参数和电气特性参数。接下来提出了其抗ESD结构的设计方案，并用SILNACO TCAD软件仿真验证了方案的可行性，提取了在2000V ESD电压作用下器件的等效电路模型。最后，根据λ设计规则完成了器件的版图绘制。　　 仿真结果表明本设计达到或超过技术指标，这说明我们的器件模型，工艺设计参数都是可行的，其研究结果可以供IC代工厂生产参考。