深能级杂质超掺杂硅是制备中间带太阳能电池材料的关键技术,是发展新一代太阳能电池技术的重要研究方向之一。然而,目前传统的超掺杂工艺如离子注入结合脉冲激光处理等,存在掺杂层厚度较低,杂质分布不均匀,制备成本较高等缺点。因此,发展一种能够有效的进行不同的深能级杂质在硅中超掺杂,并且掺杂层厚度更高,制备工艺更简便的新方法将会有助于新型中间带太阳能电池的研究。本论文中,通过真空磁控溅射系统交替镀硅与钛、银、铁等深能级杂质元素的夹层结构的多层非晶薄膜并进行热退火处理,再结合532 nm波长纳秒脉冲激光熔融处理的方式制备出了具有较高的红外吸收性能的深能级杂质超掺杂的多晶硅薄膜材料。X射线光电子能谱分析表明,钛、银、铁掺杂硅材料具有很高的杂质掺杂浓度,实现了超掺杂,同时超掺杂层的厚度较高（高于200 nm）,掺杂效果相对于传统的超掺杂工艺具有比较明显的提升。小角度X射线衍射分析表明,经过脉冲激光处理后的掺杂硅薄膜部分结晶,最高结晶率为25%左右,具有多晶结构。红外波段光吸收测试表明掺杂的硅薄膜材料在大于1200 nm波长区域具有显著的红外增强吸收,薄膜的整体红外吸收系数在1×10³cm^-1以上,部分波长最高红外吸收系数接近5×10³cm^-1左右,远高于未掺杂的单晶硅材料,并且呈现出较为明显的亚能带吸收特点。霍尔效应测试显示掺杂的硅薄膜层具有较高的载流子浓度,达到5×10^{1 8}cm^-3以上,超过了硅中超掺杂所对应的载流子浓度,且方块电阻有明显的降低。红外吸收系数的高低与薄膜的结晶率及载流子浓度大小之间呈现正相关性。该方法相较于传统的掺杂方法可以较为方便的制备出适用于多种不同的深能级杂质元素的超掺杂硅光电薄膜材料,且实现较为明显的红外增强吸收。