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钴酸镧系过渡金属氧化物半导体瓷具有负阻温特性,可串联在电路中有效抑制浪涌电流.该试验选择钴酸镧为主晶相,研究了元素掺杂对系统性能的影响.通过Sr<2+>、Nd<3+>、Ti<4+>离子掺杂进行A,B位取代及第二相的添加等工艺可以调整材料的室温电阻率和改善材料常数B值.采用SEM,XRD等实验手段研究了掺杂系统组成、结构与电学性能之间的关系,深入探讨了半导体载流子导电机理,最后研究了烧结工艺对性能的影响.