单片微波集成电路(MMIC)作为第三代微波电路,是在半导体衬底上用一系列半导体工艺方法制造出无源和有源元器件,然后连接起来形成的功能电路。这样设计出的电路尺寸控制在芯片级,体积和重量都大大减小,而且寄生因素影响较小,因此被广泛的应用于军事以及民用领域。本文采用0.15μm GaAs pHEMT工艺设计了一个Ku波段中等功率放大器和一个3~9GHz双平衡混频器,主要研究内容如下:(1)设计了一个工作于12~17GHz的宽带中等功率放大器,该放大器芯片分为两级,两级管芯采用相同的偏置电压,管芯工作于A类状态,芯片面积为1.5mm×0.6mm。仿真结果显示,在12~17GHz的工作频带内,放大器的小信号增益典型值为18dB,输出功率典型值大于21dBm,输入输出回波损耗典型值优于12dB,功率附加效率PAE典型值大于23%。(2)设计了一个工作于3~9GHz的宽带双平衡混频器,该混频器采用螺旋巴伦将信号等分反向以后将信号加载在二极管上,使用加载电容大大缩小了螺旋巴伦的尺寸,最终芯片面积为1.4mm×1.1mm。混频器工作频率为3~9GHz,中频带宽为DC~3GHz,测试结果显示,混频器变频损耗最大值为8.6dB,射频到中频的隔离度大于15dB,本振到中频隔离度典型值大于25dB,本振到射频隔离度典型值大于35dB,混频器上变频时的变频损耗最大值为8.5dB。