本论文的主要内容是电子屏蔽效应温度相关性的实验研究。最近在德国鲁尔大学DTL实验室开展了一系列氘化金属、半导体、绝缘体靶中D(d，p)T反应电子屏蔽效应的系统研究。结果清楚显示了氘化金属靶中电子屏蔽效应呈现异常的增大，而且元素周期表中的同族元素有相近的电子屏蔽势。通过对金属中的电子作准自由近似，我们应用德拜模型对这种现象提出了一种可能的解释。但德拜模型是一种经典的模型，没有考虑量子效应，必须经过进一步的实验验证。从德拜模型的表达式可以看出电子屏蔽势与温度的平方根成反比，进行温度相关性的研究是十分必要的。为了揭示低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应与温度之间的关系，进行了较高温度下一系列氘化金属靶中D(d，p)T反应的测量，结果与德拜模型的预言基本相符。论文详细阐述了实验的装置、步骤及实验结果的理论分析，并讨论了即将进行的相关α衰变实验。 本论文的第二部分内容是读博期间参与的其它研究工作，主要是在本院串列加速器上利用次级放射性离子束开展的11C(d,n)12N和8Li(d，p)9Li反应研究。全文共分六章。第一章介绍电子屏蔽效应的概念，简要论述带电粒子核反应中的电子屏蔽效应。第二章概述当前国际上电子屏蔽效应实验和理论研究的进展，着重介绍在德国鲁尔大学DTL实验室100kV加速器上进行的一系列氘化靶中D(d，p)T反应电子屏蔽效应的实验研究。第三章描述电子屏蔽效应温度相关性研究的实验装置和步骤。第四章给出了测量结果及其理论分析。第五章简要报告读博期间在本院参与的11C(d,n)12N和8Li(d，p)9Li反应研究工作。第六章为论文总结。