在本文中我们研究了磁隧道结样品 Co／绝缘层／NiFe 的制备方 法及其磁电阻（Magnetoresistance，MR）效应，我们还研究了以Fe、Ti、 Cu为覆盖层和以 Fe、Cr为过渡层的 Co／Cu/Co 三明治样品在室温 及低温下的磁电阻效应，同时，我们还对上述样品在较低温度下（高 于5K）的磁学性质进行了测量． 通过超高真空电子束蒸发方法直接生成磁隧道结样品Co／绝缘层／NiFe中的 Co和NiFe层，而其中的绝缘层则分别以Al和Al₂O₃为蒸发源生成中间层并在空气中自然氧化而形成的。实验结果表明，通过以Al₂O₃为蒸发源生成中间层并在适当高的温度下进行氧化可以提高样品的质量．室温下，我们成功地获得了具有隧道贯穿效应的磁隧道结样品Co／绝缘层／NiFe，其磁电阻值为O.7％。此外，文中还分别对进一步提高样品质量的方法和用平面电路工艺制备磁隧道结的方法进行了讨论。 以Fe、Ti和 Cu为覆盖层的 Co／Cu／Co三明治样品同样通过超高真空电子束蒸发方法制备而成。室温下 Fe覆盖层的引入能明显减小样品的矫顽力及其他和磁场的大小，但以Fe、Ti和Cu为覆盖层的样品的磁电阻值却并没有很大变化。温度降低时，覆盖层使Co／Cu／Co三明治的磁电阻值显著增加。77K下，以Fe、Ti和Cu为覆盖层的样品的磁电阻值分别为 9.9％、9.0％和7.7％，而无覆盖层样品的磁电阻值仅为 6.8％。实验结果表明样品的巨磁电阻效应和覆盖层及其与上层Co所形成的界面密切相关。 对于以Fe为过渡层的Co／Cu／Co三明治样品而言，其室温下的矫顽力（25.2Oe）远小于以Cr为过渡层的 Co／Cu／Co三明治样品的矫顽力（98.3Oe）,该样品的磁灵敏度也相应地提高为 0.3%／Oe。我们发现，当样品中Fe过渡层厚度为7nm 时样品具有最大的磁电阻值。与 Cr 为过渡层的样品相比，温度更强烈地影响样品的磁电阻值。77K下以 Fe 为过渡层的样品的磁电阻曲线中存在明显的不对称性，样品磁化强度随温度的变化曲线表明，这种现象可能来源于样品中 fccFe过渡层低温下发生的反铁磁性转变。