量了点(QDs,纳米晶)山于其独特的发光性质,在LED应用方面展现了其巨大的发展潜力,木文通过对LED和QDs LED发展及应用的历史回顾,电致发光原理介绍,实验所用的表征设备和器件制作的实验流程介绍,实验结果分析等部分,对木文所研究的CdSe量子点LED进行了细致的分析。采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制作了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/A1的电致发光(EL)器件。透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和A1薄膜结果显示表面均较为平整,器件结构的X-射线衍射表征观察到了CdSe(111).ZnS(111)等晶而的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料。光致发光(PL)谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450～850nm范围,峰值在800nm附近,对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论。最后,对研究工作进行了总结,,并对CdSe量子点在LED方面的应用进行了展望。