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具有宽禁带的直接带隙II-VI族半导体材料,在短波长光电器件中具有重要的应用。其一维纳米材料由于其结构及量子特性,近年来成为了该领域研究的热点。本论文以ZnSe为研究对象,利用较为简单、经济的脉冲激光沉积方法,研究ZnSe一维纳米材料的制备、表征、性质、生长机理及其在聚合物/无机复合太阳能电池中的应用。本论文的研究主要包括了以下三部分内容:第一部分介绍了脉冲激光沉积方法制备硒化锌纳米线及样品的表征和性质。利用PLD方法合成的ZnSe纳米线,是以Si(100)为衬底,在真空度为2×10