【摘 要】
:
半导体激光阵列(包括一维半导体激光阵列和半导体激光叠层阵列)是实现大功率输出的有效技术途径。由于大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离,所以各单元输出辐射在空间上
论文部分内容阅读
半导体激光阵列(包括一维半导体激光阵列和半导体激光叠层阵列)是实现大功率输出的有效技术途径。由于大功率半导体激光阵列各发光单元是光电隔离,所以各单元输出辐射在空间上是非相干的,导致整体输出光束质量差。外腔锁相相干耦合技术是在半导体激光阵列外形成新的谐振腔来锁定每个激光单元的位相,从而获得近衍射的相干输出、提高了光束质量和亮度的方法。
目前的外腔锁相技术,通过在半导体激光器外加入具有一定反射率的外腔镜(可以使普通反射镜或是光栅、位相共轭镜等)形成外腔,利用光辐射在外腔中传播时的衍射、反射作用产生锁相的效果。光辐射从外腔镜反射回半导体激光器有源区时,由于衍射反馈到其它单元从而实现了阵列发光单元间的相互耦合。但以往的外腔锁相相干耦合技术只能保证相邻发光单元之间有很强的耦合(串联耦合),并不能形成所有发光单元耦合间相同的耦合相干(并联耦合)。
论文提出引入光纤整形器实现半导体激光阵列外腔相干耦合即光纤相干耦合改善半导体激光阵列光束质量的方法。外腔中,利用光纤束的柔韧性、低损耗的特点,半导体激光阵列发光单元辐射光一对一进入光纤中,在光纤束另一端光纤即“发光单元”呈二维排列。这样,外腔中参加锁相的相邻单元数目增多,同时因为光纤集束端面不必考虑散热问题光纤紧密排列(“发光单元”的填充因子增加),有利于形成并联耦合提高外腔锁相相干程度。
建立光纤相干耦合改善半导体激光阵列光束质量的实验系统;分析了光谱、外腔长度与相干耦合的关系;光谱FwHM压缩到0.5nm,单色性提高,光束质量得到了改善。
其他文献
本文采用二维阻挫XY模型描述约瑟夫森结阵列(JJA)的一些动力学特性。第一章介绍了一些与JJA有关的物理概念。第二章中我们尝试研究了Hamiltonian在相空间的曲面形貌,以期望找
本文系统地回顾了约束系统的Faddeev-Jackiw正则量子化方法。详细阐述了Faddeev-Jackiw理论的意义与特点。区分了原始的Faddeev-Jackiw方法和通常使用的Faddeev-Jackiw方法。
本论文从高温超导铜氧化物的晶体结构出发,做了如下相关研究:(1)以元素掺杂为主要手段,对Bi2201相的微结构及超导电性进行了研究,获得了一些有意义的结果;(2)通过气相输运插层化合
本文首先概述了相对论平均场理论,并且给出了一般的相对论平均场(RMF)的拉格朗日量,其中着重对球形核平均场理论进行了介绍。接下来又详细的介绍耦合常数解析延拓方法(ACCC方法
离子注入蓝宝石晶体,一方面引入了杂质离子,注入的杂质离子在基体中可形成异质纳米微粒,另一方面由于辐照效应会在蓝宝石基体中产生各类色心,这都会引起蓝宝石晶体特性的改变,特别是光学特性的变化与上述两个因素存在密切的联系。我们采用Nb~+离子注入蓝宝石晶体,对注入Nb~+离子的蓝宝石晶体退火前后的光学性能进行了系统的研究。我们还对样品进行了表面形貌的观察。取得了以下几点结论: 1)XPS分析表明:
纳米电子学是纳米科技的重要领域之一,其中对单电子现象及其相关器件的研究是纳米电子学的重要组成部分,并形成固态科学与技术的分支领域一单电子学。为了正确全面描述相关隧道
近几年以来,氧化物热电材料受到了很大程度的关注,到目前为止,己经有多种氧化物体系得到了研究。在这些氧化物体系之中,钴氧化物表现得特别活跃,研究表明,钻的化合价可为2+,3
LiFePO_4正极材料在成本、高温性能、安全性等方面具有优势,已成为当前主流的动力型锂离子电池的正极材料。但是,LiFePO_4仍存在堆积密度低、生产工艺复杂、性能稳定性差等问题。我们合成了几种新型正极材料:LiMFeO_x(M=Cr,Mo)和LiMoCrO_x,研究了还原温度和化学计量比对其电化学性能的影响。通过X射线衍射(XRD)、电子扫描(SEM)对材料的结构和形貌进行表征,恒电流充放电测
北京谱仪Ⅲ(BESⅢ)运行在升级后的北京正负电子对撞机Ⅱ(BEPCⅡ)上,它是一台大型通用磁谱仪,其物理目标是τ-粲能区的精确测量和新物理的寻找。漂移室(MDC)是其最内层的子探测
硅是现今社会研究得非常广泛的一种半导体材料。近些年来对H/Si体系的研究越来越热,主要是因为H/Si体系材料(如:氢化不定形硅和氢化多孔硅等等)不仅在二极管、太阳能电池和探测