近年来，微/纳米尺度半导体材料由于具有优异的光学、电学和磁学性能，受到了越来越多的关注。因为微/纳米材料的性质在一定程度上取决于其形貌和尺寸，因此人们希望通过调控产物的晶相结构、尺寸和形貌从而能够达到调控其一些性质的目的。禁带宽度约为2.2eV的氧化亚铜（Cu₂O）是一种p型半导体材料，具有独特的光学和电学性质，在太阳能转换、气敏器件和催化等领域具有潜在的应用价值，因此本论文选择Cu₂O作为研究对象，通过改变反应条件考察各反应参数对其形貌的影响。在低温水溶液中，用葡萄糖还原铜-柠檬酸配合物制得均一的Cu₂O亚微米立方体。用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察到了Cu₂O粒子从多足到星型再到立方体的形貌衍变过程。{100}晶面的缓慢生长速率导致了最后的立方体的形成。根据形貌衍变图片分析了氧化亚铜立方体的生长机制。用抗坏血酸钠作为还原剂，以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为表面活性剂在水溶液中合成了单分散、均一的Cu₂O纳米和亚微米立方体。CTAB的浓度对产物的粒径有很大的影响。初步分析了产物的形成机理。使用简单的水溶液法，通过改变铜盐考察了不同阴离子对Cu₂O形貌的影响，初步分析了包括氯离子、硫酸根离子、硝酸根离子和醋酸根离子在内的四种阴离子对产物形貌的影响。