【摘 要】
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该文引入了适用于异质结器件模拟的流体动力学模型,并在三角网络上完成离散.引入了各种半导体材料的物理模型和参数,并给出了如何根据锗的摩尔比X来计算合金材料应变GeSi中的
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该文引入了适用于异质结器件模拟的流体动力学模型,并在三角网络上完成离散.引入了各种半导体材料的物理模型和参数,并给出了如何根据锗的摩尔比X来计算合金材料应变Ge<,x>Si<,1-x>中的相关参数.该文对原来的数值方法进行了优化,提出一种新的猜值方法,解决了大偏压下模拟的收敛问题,并减少了迭代次数和计算时间,另外为减少迭代过程中的振荡现象对迭代算法进行了改进.通过N-N锗硅异质结器件验证了该文中流体动力学模拟的准确性,并对Si/应变Ge<,x>Si<,1-x>二极管、应变Ge<,x>Si<,1-x>HBT、P型应变Ge<,x>Si<,1-x>MOSFET进行了模拟.另外提出并模拟了一种新器件结构—锗沟MOSFET,它具有电流大、速度快的优点,可能有良好的发展前景.
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