本论文对准一维纳米材料的光电子能谱及其场发射性能进行了较为系统的研究，主要工作包括以下几个方面： 1.调试并校准了光电子能谱仪，建立了一套可靠的功函数测试方法。 2.利用紫外光电子能谱技术研究了氧化铜、氧化钨纳米线的功函数及其价电子能带结构，同时也研究了氧化铜纳米线的场发射热效应。发现氧化钨一维纳米材料的功函数在4.5 eV到4.9 eV之间，氧化铜一维纳米材料的功函数在5.2 eV到5.5 eV之间。同时针对氧化铜一维纳米材料的场发射热效应进行了研究，发现随温度升高，场发射性能变好，但功函数随之升高。 3.首次真实地报道了利用氩离子刻蚀技术将三氧化钨还原为金属钨的过程，并利用X射线光电子能谱对还原过程进行了原位研究。研究首次报道了钨的全部六种化学状态，即+6、+5、+4、+2、0以及表面缺陷态。本研究还初步讨论了氩离子轰击可以将金属氧化物还原为金属态的基本原理。 4.首次真实地报道了利用氩离子刻蚀技术制备非晶金属钨尖锥阵列的过程，并对此尖锥阵列进行了多方面的表征。研究发现利用氩离子刻蚀技术处理，可将无序的三氧化钨纳米线制备为高度有序的金属钨尖锥阵列，并大大提高了场发射性能。本研究还初步讨论了氩离子刻蚀技术能够提高氧化钨一维纳米材料场发射性能的基本原理。 本论文工作作为一个前沿的科学问题具有很高的学术意义，同时为氧化铜纳米材料、氧化钨纳米材料作为场发射冷阴极材料提供理论和实验上的依据。