减小MOSFET开关损耗的极间电容优化仿真研究

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随着电力电子技术进一步向高频的大功率用电领域发展,功率MOSFET在各种电力半导体器件中的重要地位日益显著,使用功率MOSFET作为开关器件的功率转换电路也日益增多,但随着器件开关频率的提高(大于200KHZ),由器件极间电容引起的能量损耗将会影响到功率转换电路的能量传输效率,特别是在以MOSFET作为开关器件的高频感应加热电源中(工作频率可达兆赫),MOSFET在开关过程中的能量损耗严重影响到电源的效率,因此如何减小开关器件的损耗提高高频功率转换线路的效率成为电力电子技术领域的重要研究课题之一。 本文主要研究了如何从优化MOSFET极间电容着手去减小它的动态损耗,提高以MOSFET器件作为开关管的转换线路的传输效率。通过分析MOSFET器件的开关特性,根据输出电容Coss给器件引进的动态损耗来确定优化器件输出电容 西安理工大学硕士学位论文L变化曲线的目标函数,运用可行方向法求解带约束条件的最优值,确定出优化的输出电容人变化曲线。在电子线路仿真软件PSPICE中进行了MOsFET开关电路以及典型DC-DC转换线路仿真测试,针对不同频段的测试结果,采用最小二乘拟合法对仿真曲线进行拟合,计算出相应的能量数据,最后综合仿真结果确定出减小器件开关损耗,提高DC0C转换线路效率的器件输出电容Cob优化曲线。
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