利用ZnOHF中间体制备ZnO纳米花及其性能研究

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氧化锌(ZnO)的激子束缚能(约60mV)相对其它半导体材料非常高,因此它在传感器领域,光催化领域,声波器件领域等众多领域都有着重要应用,是目前的研究热点之一。人们对ZnO研究非常广泛,结果也非常丰富。截至目前,ZnO既有简单的如纳米颗粒,纳米线,纳米棒,纳米管,也有复杂的ZnO体结构材料。这些丰富的ZnO纳米结构,为ZnO的应用提供了很好地基础。本文采用低温液相法制备花状中间体氧化锌氢氟(ZnOHF),然后在400℃下退火2h后转化为相同形貌的ZnO晶体。按照上述方法制备出ZnO后,接着我们将对ZnOHF晶体的研究,向前推进了一步。我们采用了包括X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)等仪器设备对ZnOHF的性能进行了测试,对ZnOHF的物相和微观形貌进行了表征。根据这些实验数据,我们对ZnO纳米材料的自生长的物理原理进行了深入分析。结果表明:在制备过程中有棒状ZnOHF出现,其均长约为3μm。退火后获得的ZnO样品的SEM形貌与ZnOHF纳米花一致,说明在400度的高温下煅烧,并不会改变纳米花的形貌。不过由于在煅烧过程中,中间体ZnOHF纳米结构会释放HF气体,所以可以观察到退火后的ZnO纳米花表面有许多缺陷。退火后我们采用TEM分析法对获得的带状ZnO进行了测量分析,发现它展现出多晶结构。随后,我们采用PL谱分析法进行试验,试验中采用的激发光为325nm的紫色激发光。观察获得的谱线,在382nm和540nm处分别获得了一个很强的近紫外峰和较弱黄光发射峰。通过对谱线的分析,我们可以知道382nm处的强近紫外峰是ZnO的本证发光峰,而540nm处的弱黄光发射峰说明我们制备的ZnO纳米花的氧和锌分布均匀,性能较好的ZnO晶体。随后我们将讨论ZnO纳米材料在自然光照下对污染物降解类型的光催化的影响,这是本文的重要议题,这个议题也在环境保护方面有着很好的实际意义。本文结合以前的研究成果,简述了合成纳米片,纳米球和多孔微米球的方法,并对其可能的在光催化领域的应用做了说明。
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