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近年来,基于透明氧化物半导体的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)因其高透光率,高迁移率并在未来平板显示领域中有着潜在应用的特点而受到人们的广泛关注。目前,大部分TFT均是采用真空方法制备的,并且获得了良好的性能。但采用真空法制备TFT器件会有很多缺点。以磁控溅射制备TFT为例,其存在着制备工艺成本高和靶材利用率低等缺点,不利于大规模的使用。溶液法作为TFT制备的另一种方法,它不需要真空环境,它具有工艺简单,成本低和可以精确控制薄膜成分等优点,可以大规模生产。因此,采用溶液法制备TFT的研究正在逐年增多。本论文研究采用溶液法制备Hf O2,Al2O3和HAO作绝缘层和ZITO作有源层氧化物材料,并在此基础上制备出低压驱动的底栅顶接触结构的TFT器件,并研究其性能。本论文的主要工作如下:1.在制备绝缘层材料时,首先采用溶液法旋涂工艺制备了Hf O2和Al2O3介质薄膜,研究了不同温度退火后薄膜的结构和光电学性能,结果表明Hf O2薄膜具有漏电流高,击穿电场低和介电常数高的特点,而Al2O3薄膜正好相反,具有漏电流低,击穿电场高和介电常数低的特点。然后结合Hf O2和Al2O3制备出了HAO薄膜。研究发现,Hf/Al=2:1的HAO膜在500 o C退火后的相对介电常数为12.1,并且在2 MV/cm的电场强度下的漏电流密度为1.69×10-7 A/cm2。2.在采用溶液法制备ZITO有源层时,研究了不同退火温度对其的影响,并通过XPS,AFM等对其进行了表征。为了制备出底栅顶接触结构的TFT器件,研究了ZITO膜在PAN和草酸中的刻蚀速率。结果表明经过350 o C退火处理后的ZITO膜在温度为35 o C的PAN中的刻蚀速率几乎可以忽略不计。3.在溶液法成功制备绝缘层和有源层的基础上,制备出了低压驱动的底栅顶接触结构的TFT器件。并对ZITO-Hf O2 TFT,ZITO-Al2O3 TFT和ZITO-HAO TFT进行了分析讨论,重点研究了ZITO-HAO TFT。研究发现,经过500°C退火处理的ZITO-HAO器件具有开关比高(7.2×106),阈值电压低(-0.6 V),亚阈值摆幅小(87 m V/decade)和饱和迁移率高(13.5 cm2/Vs)的特点.偏压稳定性测试表明HAO和ZITO的同时使用使得TFT器件具有很好的稳定性。