与传统移相器相比,RF MEMS移相器具有低损耗、宽频带、微型化,同时与IC、MMIC电路易于系统集成等优点。受制于材料、微电子工艺等基础工业水平的限制,目前国内鲜有Ka波段RF MEMS移相器见诸报端。本篇文章首先介绍了MEMS技术和RF MEMS技术,并阐述了RFMEMS技术的市场前景。接下来介绍了RF MEMS移相器中最重要的基本元件RF MEMS开关,重点介绍了RF MEMS电容式开关和RF MEMS接触式开关,并且对一种RF MEMS电容式开关进行了电磁仿真和机电性能仿真。在前面章节仿真和分析的基础上,本文接着分别介绍了DMTL型、反射型、开关线型和开关网络型移相器的国内外发展情况以及工作原理。最后提出设计一款DMTL型移相器。在本文中,设计一种Ka波段DMTL型RF MEMS移相器,它采用了15个MEMS电容式并联开关,同时在MEMS开关中加入MIM电容,实现了4位相移。文中对Ka波段4位RF MEMS移相器进行设计与分析,通过MEMS开关的切换实现信号延迟通路,从而实现0。-180。步进22.5。的相移功能。通过改变开关驱动电压从而改变MEMS桥的高度,仿真测得开关理论下压电压为18.9V。仿真结果表明在中心频率31 GHz时,该移相器的插入损耗大于-2.2dB,回波损耗小于-25dB,相移误差在1.5。范围内,移相器具有较好的移相性能。