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第一部分目的:探讨低频阈上强度的重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magneticstimulation,rTMS)对于脑梗死后运动诱发电位潜伏期、波幅及中枢运动传导时间的影响。方法:收集2007年5月至2008年4月入住我院的脑梗死患者30例,随机分为三组,刺激脑梗死患侧脑M1区组,刺激健侧脑M1区组,以及自然恢复组。磁刺激参数为0.5Hz,70%输出强度(3.0T),每天9个序列,一个序列为100脉冲,序列间隔为2s,连续刺激10天。在实验第1天、第10天及第40天对受试者进行神经电生理检查,记录其患侧脑区的运动诱发电位潜伏期、波幅及中枢运动传导时间。结果:第10天时刺激患侧组潜伏期、波幅及中枢运动传导时间与治疗前及自然恢复组比较均存在统计学差异(P＜0.05),且在第40天时这种差异更为明显(P＜0.01);刺激健侧组潜伏期、波幅及中枢运动传导时间与自然恢复组比较变化不具有统计学意义(P＞0.05),但较自然恢复组存在较为明显的恢复趋势。结论:低频阈上rTMS作用于两侧脑M1区均可增加患侧脑皮层兴奋性,作用于患侧M1区时影响的最为显著。第二部分目的:探讨低频阈上强度的重复经颅磁刺激(repetitive transcranial magneticstimulation,rTMS)对于脑梗死后NIHSS、ADL评分及脑代谢的影响。方法:收集2007年5月至2008年4月入住我院的脑梗死患者30例,随机分为三组,刺激脑梗死患侧脑M1区组,刺激健侧脑M1区组,以及自然恢复组。磁刺激参数为0.5Hz,70%输出强度(3.0T),每天9个序列,一个序列为100脉冲,序列间隔为2s,连续刺激10天。在实验第1天、第10天及第40天对受试者进行临床功能评分,记录NIHSS、ADL评分。每组随机挑选1名患者在实验第1天和第40天进行MRS分析,记录NAA,Cho,Cr及Lac波峰图形。结果:第10天时刺激患侧组与rTMS治疗前及自然恢复组比较NIHSS评分出现显著意义的降低(P＜0.05),ADL评分出现显著意义的升高(P＜0.01),在第40天时这种变化更为明显(P＜0.01);刺激健侧组较治疗前及自然恢复组NIHSS评分也出现明显降低(P＜0.05),ADL评分明显升高(P＜0.01)。MRS图像显示第40天时各组NAA,Cho波峰有不同程度升高,Lac波峰有不同程度降低,其中刺激患侧组变化最为明显,刺激健侧组次之,自然恢复组变化最小。结论:低频阈上rTMS作用于两侧脑区均可提高患肢活动能力及生活能力,改善脑部代谢,其中作用于患侧时这种促进作用最为显著。