本文主要围绕多晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)的电荷泵电流（CP:Charge Pumping）中几何电流(Igeo:geometric current)的分离进行研究，基于对多晶硅TFT的沟道宽度控制Igeo产生的理解，提出了一种基于实验的用于评估和从测量的CP电流（Icp_mea）中分离 Igeo的方法，此方法基于一组固定沟道长度，变化沟道宽度的TFTs。采用三参数模型可有效拟合Icp_mea，通过参数分析发现参数设置合理。另外，分离后的Igeo和净的Icp曲线也符合预期。随着Igeo的分离，一个可靠地表征TFT的缺陷态密度（Dt）的新方法同时被提出。Igeo被分离后，避免了对于CP电流的过度测量，使得即使短的CP脉冲传输时间，Dt的提取也很可靠。另一方面，Igeo的分离确认了产生几何因素的临界传输时间，这与基于扩散控制的载流子疏散模型估计的临界传输时间相互吻合，这也加深了对几何效应电流产生的理解。