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自从日本和香港的科学家在1998年首次报道室温光泵浦条件下ZnO薄膜的紫外受激发射后,ZnO基宽带隙半导体作为紫外发光器件和激光器的候选材料开始受到人们的关注。这是因为ZnO室温下带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,使得它在室温下具有丰富的激子效应,而成为国际光电子领域前沿课题中的研究热点。由于ZnO具有单一的导电类型,未掺杂的ZnO由于本征缺陷(V0, Zni)而导致n-型电导,p-型ZnO难以制备,已经成为制约ZnO基材料发展的一个瓶颈。因此,制备p-型掺杂