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作为一种典型的单相多铁性钙钛矿材料,BiFeO_3是少数在室温下同时具有铁电性(居里温度TC~850℃)和铁磁性(尼尔温度TN~370℃)的材料之一,在信息存储器、自旋电子器件、传感器和微机电系统等方面有着潜在的应用前景。但是,利用金属有机物分解法制备的BiFeO_3薄膜漏电流较高,矫顽场较大,磁性较弱,而且只能在厚度大于400 nm时才能观察到饱和的P-E电滞回线。因此,为了满足未来微电子器件的要求,降低BiFeO_3-基薄膜的漏电流、矫顽场和厚度,以及提高薄膜的铁电和铁磁性能是目前亟待解决的几个