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在过去的几十年中,量子点异质结构由于其独特的光电特性吸引了全球范围内众多研究者的兴趣。特别是采用InAs/GaAs自组织量子点作为有源区的量子点激光器,成为了量子点光电器件的一个重要研究方向,如何拓展发光波长也成为了量子点结构的研究热点。当量子点样品的盖层为GaAs材料时,InAs/GaAs自组织量子点的发光波长难以突破1.3gm。许多研究表明,盖层采用InxGa1-xAs应变减小层时,可以有效地拓展量子点的发光波长,但是量子点的波长拓展机制尚未完全明确。本论文围绕InAs/GaAs自组织量子点生长及形貌、发光特性展开了研究。主要工作如下：1.实验对比了不同生长温度、生长速率、Ⅴ/Ⅲ比、沉积厚度等生长条件下量子点样品的形貌差异,研究了生长参数对InAs/GaAs自组织量子点形貌特性的影响。2.详细研究了InxGa1-xAs应变减小层对InAs/GaAs自组织量子点发光特性的影响。在生长温度为530℃,生长速率为0.06ML/S,Ⅴ/Ⅲ比为10的条件下,利用InxGa1-xAs应变减小层,实验中制备出了发光波长在1328nm,半高宽44meV的量子点样品。3.在GaAs缓冲层与InAs量子点之间引入了InGaAs底层结构。实验表明InGaAs底层减小了InAs量子点底部与GaAs缓冲层之间的应力。量子点沉积厚度为3.OML时,与GaAs缓冲层上直接生长的InAs量子点相比,采用InGaAs底层时,量子点平均高度降低了0.9nm,而底部平均直径增加了6nm,密度略有增加。4.研究了掺硼的InAs/GaAs自组织量子点样品。利用AFM、PL谱测试手段对比分析了硼元素并入前后InAs/GaAs自组织量子点的形貌、光学性质的不同。通过实验研究发现,在沉积量子点材料时硼元素的并入改变了量子点的应力分布。采用相同的GaAs盖层时,相比于InAs量子点,BInAs量子点的发光波长红移了15meV,并且发光强度增强很多；而采用InxGa1-xAs应变减小层时,掺硼引起了量子点发光波长的蓝移,但是减小了光致发光谱的半高宽。采用InxGa1-xAs应变减小层,实验中制备出了沉积厚度为3.6ML,峰值波长1323nm,半高宽40meV的BInAs QDs样品。