为了提高顶发射有机电致发光器件的性能,我们对顶发射器件中存在的微腔现象做了具体的理论分析,并计算得到了微腔结构的器件中的腔长,由于微腔效应的存在使得在出光方向上的光得到放大,计算结果和实际结果相对吻合较好。同时我们还计算得到了光谱,和实际光谱有一定差别的原因在于我们为了方便计算,假设激子都在距离界面一个扩散长度的地方复合发光.而实际上由于扩散长度是一个平均值所以每个激子复合发光的位置都是不一样的。在实际实验中我们采用了掺杂和非掺杂两种结构方式。实验中利用经紫外臭氧表面修饰(2Ag(s)+O3(g)→Ag2O(s)+O2(g))的银作为阳极(以降低空穴的注入势垒,增加注入效率),以Alq作为发光层,以半透明的Al/Ag作为阴极,选择空穴注入材料m-MTDATA,作为空穴注入层,从而降低了器件的开启电压。同时采用我们提出的有机物掩模生长的新工艺,解决了大面积生长有机物时漏电流大的问题,在硅衬底上制备出高亮度顶发射有机发光器件。同时我们还在顶发射器件的半透明阴极上生长增透膜,并且采用交替生长Al/Ag阴极的结构来提高器件的性能,用这种阴极结构制备的顶发射有机电发光器件有效地改善了光的耦合输出,并且具有这种多层阴极结构的器件和具有普通阴极结构Al (4 nm)/Ag (12 nm)的器件相比,其亮度在7V到21V内增加了1.9-3.1倍。